Исследованы колебания напряжения и тока в полевых транзисторах, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе". Показано, что изменением условий питания транзистора можно в широких пределах (0,1 - 1 МГц) изменять частоту колебаний, а также их характер - от квазигармонических до релаксационных, т. е. использовать такой транзистор в роли генератора колебаний напряжения. Установлено, что эти колебания обусловлены физическими процессами, которые происходят непосредственно в транзисторе. Приведено качественное описание этих процессов.

Oscillation of voltage and current in SOI transistors was investigated in the presented article. It was shown that both the oscillation frequency in the wide range (0,1-1 MHz) and the oscillation nature from quasi-harmonic to relaxation oscillation could be changed by transistor power supply variation. It was proved that the oscillation discussed occurs through the physical processes directly related to transistor. Qualitative description of these processes is shown in this paper.

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока, приводящего к резкому неоднородному разогреву кристалла. Проведены исследования изменения характеристик кристаллов промышленных диодов КД105-КД209. Определены энергетические параметры вводимых новых центров рекомбинации.

Regulated change of time of a life of nonbasic carriers of a charge in base diode crystal of the semiconductor under action of a short modifying pulse of the current resulting to sharp non-uniform warming up of a crystal is offered. Researches of change of the characteristics crystals of industrial diodes КД105-КД209 are lead. Power parameters of the entered new recombination centres are determined.

Описаны исследования характеристик кремниевых диффузионных резисторов при протекании через них импульсов тока с плотностью вплоть до разрушающей. Исследованы переходные процессы при включении резисторов. Полученные результаты позволили объяснить характерные особенности различных участков вольт-амперных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в кремниевых резисторах.

Silicon diffusion resistor characteristics are described at current pulses flowing with current densities up to destructive. The transitional processes at resistor turning on were discovered. The results obtained allowed us to explain the characteristic features of the I-V curve different sections. The physical model explaining the regularities in the silicon resistors was suggested.